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Júpiter - Sistema de Gestão Acadêmica da Pró-Reitoria de Graduação


Escola Politécnica
 
Eng de Sistemas Eletrônicos
 
Disciplina: PSI2641 - Processos Básicos em Microeletrônica
Basic Processing in Microelectronics

Créditos Aula: 4
Créditos Trabalho: 0
Carga Horária Total: 60 h
Tipo: Semestral
Ativação: 01/01/2003 Desativação: 30/01/2023

Objetivos
Introduzir as técnicas de fabricação de dispositivos e circuitos integrados em microeletrônica. Apresenta os princípios, técnicas, equipamentos e softwares utilizados na simulação e fabricação de dispositivos em silício e arseneto de gálio de uma maneira global e genérica.
 
Programa Resumido
Técnicas de obtenção de silício cristalino e arseneto de gálio. Processamento de lâminas de silício e GaAs. Rede e Defeitos cristalinos. Oxidação. Dopagem (difusão e implantação iônica). Litografia: (Fabricação de Fotomáscaras; Gerador de Padrões). Epitaxia. Deposição em Fase Vapor (CVD. PECVD e LPCVD). Decapagem (úmida e seca). Equipamentos e técnicas de metalização (Evaporação térmica, feixe iônico, bombardeamento catódico ("sputtering"), Caracterização de etapas de processo de fabricação. Simulação de processos de fabricação. 
 
Programa
Técnicas de obtenção de silício cristalino e arseneto de gálio. Processamento de lâminas de silício e GaAs. Rede e Defeitos cristalinos. Oxidação. Dopagem (difusão e implantação iônica). Litografia: (Fabricação de Fotomáscaras; Gerador de Padrões). Epitaxia. Deposição em Fase Vapor (CVD. PECVD e LPCVD). Decapagem (úmida e seca). Equipamentos e técnicas de metalização (Evaporação térmica, feixe iônico, bombardeamento catódico ("sputtering"), Caracterização de etapas de processo de fabricação. Simulação de processos de fabricação. 
 
Avaliação
     
Método
Aulas expositivas auxiliadas por transparências e métodos multimídia (datashow + computador) São previstas três aulas práticas em ambientes de fabricação de circuitos integrados (salas limpas). Testes qüinqüenais. Os alunos possuem a notas de aula antes da aula na seção de alunos ou na internet.
Critério
Média geral MG = [0,6 x (média aritmética das 2 provas feitas) + 0,2 x trabalho multimídia + 0,2 x (média aritmética das n melhores notas dos N testes aplicados)] >= 5,0. Os testes serão dados nos 10 minutos finais de N aulas escolhidas aleatoriamente. A prova substitutiva substitui a prova em que o aluno faltou.
Norma de Recuperação
1 (uma) prova de recuperação.
 
Bibliografia
     
[01] Stephen A. Campbell, The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, 2nd edition, Oxford University Press, 2001;[02] S.M. Sze - VLSI Technology, McGraw-Hill, 1988;[03] V. Baranauskas, org., Processos em Microeletrônica, SBV e SBMicro, 1990;[04]  R. A. Levy, Microelectronic Materials and Processes, Kluwer Academic Publ., 1989;[05] M. Madou, Fundamentals of Microfabrication, CRC press, 1997. 
 

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