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Júpiter - Sistema de Gestão Acadêmica da Pró-Reitoria de Graduação


Escola Politécnica
 
Eng de Sistemas Eletrônicos
 
Disciplina: PSI2643 - Laboratório de Fabricação de Dispositivos em Microeletrônica
Laboratory of Microelectronic Devices Fabrication

Créditos Aula: 4
Créditos Trabalho: 0
Carga Horária Total: 60 h
Tipo: Semestral
Ativação: 15/07/2009 Desativação:

Objetivos
Esta disciplina visa dar a oportunidade ao aluno de acompanhar de perto no laboratório as principais etapas de fabricação de dispositivos em microeletrônica. O aluno participará do projeto e da fabricação de um dispositivo integrado básico (como por exemplo: diodo ou capacitor ou transistor ou um pequeno circuito), proporcionando a oportunidade rara no Brasil em nível de graduação, de entender o que tem por dentro de um circuito integrado (C.I.). Em um mundo onde quase todos os projetos terminam por produzir um circuito integrado dedicado (chip) não há como se formar em Engenharia Elétrica sem conhecer um pouco mais sobre este tipo de componente, que certamente irá acompanhá-los durante toda a vida.

The goal of this curse is to present a laboratory introduction to the basic microelectronic processes and semiconductor devices fabrication. In that way, the students will participate of the design and fabrication of diodes, capacitors and transistors implemented in a small silicon based integrated circuit. In this way, the course represents an exceptional opportunity, in fact unique in Brazil, to expose undergraduate students to the experimental knowledge underneath the microelectronic Integrated Circuit technology.
 
Docente(s) Responsável(eis)
2090541 - João Antonio Martino
1560585 - Marcelo Nelson Paez Carreno
55210 - Roberto Koji Onmori
 
Programa Resumido
Esta disciplina oferece uma visão geral fundamental para o Engenheiro Elétrico atual, dando a oportunidade de participar de um projeto, fabricação e caracterização elétrica de um dispositivo integrado. É uma experiência única onde apenas poucos alunos de graduação no mundo têm a oportunidade de conhecer o ciclo completo na microeletrônica.

This discipline offers a basic general vision for the current Electric Engineer, giving the chance to participate of a project, manufacture and electric characterization of an integrated device. It is an only experience where just few under graduation students in the world have the chance to know the complete microelectronics cycle.
 
Programa
1. Introdução ao curso; história da microeletrônica; componentes em circuitos integrados.2. Conceitos fundamentais sobre as etapas de processo básicas em microeletrônica. Será apresentada uma de seqüência de fabricação de um dispositivo integrado básico a ser estudado durante o curso (como por exemplo: diodo ou capacitor ou transistor ou um pequeno circuito). 3. Introdução ao programa simulador (tipo MINIMOS), que servirá de auxilio ao projeto do dispositivo.4. Realizar a caracterização e limpeza de lâmina de silício.5. Fazer uma oxidação térmica/deposição de óxido e medir a espessura do óxido obtido. 6. Acompanhar uma Fotogravação e corrosão (definição do layout do componente).7. Acompanhar uma etapa de dopagem: difusão/implantação (formação das regiões N e P).8. Etapa de metalização (interligação dos componentes).9. Técnicas de encapsulamento.10. Caracterização elétrica do dispositivo fabricado - Parte 1.11. Caracterização elétrica do dispositivo fabricado - Parte 2.12. Evolução dos circuitos integrados (seminário)

PSI2643 Laboratory of Microelectronic Devices Fabrication

1. Introduction to the course; history of microelectronics/nanoelectronics ; devices in integrated circuits .2. Basic concepts on the basic process steps in microelectronics. One complete integrated device process fabrication will be presented to be studied during the course (as for example: diode or capacitor or transistor or a small circuit). 3. Introduction to the simulator program (like MINIMOS), that will be used to aim the project of the device. 4. Silicon wafer characterization and cleaning procedure. 5. Thermal oxidation/oxide deposition and measurements of the oxide thickness obtained. 6. Photolithograph and etch (definition of the component layout). 7. Doping step process: diffusion/implantation (formation of regions N and P). 8. Metallization step process (for devices interconnections). 9. Bounding Techniques. 10. Electric characterization of the manufactured device - Part 1. 11. Electric characterization of the manufactured device - Part 2. 12. Evolution of integrated circuits (seminary).
 
Avaliação
     
Método
Provas, relatórios e listas de exercício.

Tests, reports and list of exercices.
Critério
Média ponderada do desempenho do aluno em provas, relatórios e listas de exercícios deve ultrapassar 5.0 (máximo 10.0)

The weighed mean of the student performance in tests, relatories presentation and list of exercices must be greater than 5.0 (maximum 10.0).
Norma de Recuperação
Uma prova escrita.

A written exam.
 
Bibliografia
     
[01] João Antonio Martino - " Processo de Fabricação de um Circuito CMOS Cavidade Dupla", Tese de Doutorado, Escola Politécnica da USP, 1988.

[02] J. A. Martino, M. A. Pavanello e P. B. Verdonck; “Caracterização Elétrica de Tecnologia e Dispositivos MOS”, Ed. Pioneira Thomson Learning Ltda, 2003.

[03] Sedra, A.S. and Smith, K.C. Microeletrônica. Pearson, 2007,(tradução da 5a. edição em inglês).
 

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