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Júpiter - Sistema de Gestão Acadêmica da Pró-Reitoria de Graduação


Escola Politécnica
 
Eng de Sistemas Eletrônicos
 
Disciplina: PSI3024 - Eletrônica
Electronics

Créditos Aula: 6
Créditos Trabalho: 0
Carga Horária Total: 90 h
Tipo: Semestral
Ativação: 01/01/2015 Desativação:

Objetivos
Aprendizado dos conceitos básicos de eletrônica.
 
To learn the fundamentals of electronics concepts.
 
 
Docente(s) Responsável(eis)
51279 - Antonio Carlos Seabra
2090541 - João Antonio Martino
54060 - Sebastião Gomes dos Santos Filho
 
Programa Resumido
Diodos: diodo ideal, diodo real, características elétricas (direta e reversa). Tipos de Diodos.
Circuitos a diodos. Funcionamento Físico do Transistor MOSFET. Modelos de grandes sinais. Circuitos de polarização CC do MOSFET. Modelo de pequenos sinais. Amplificador fonte comum. Inversor CMOS: funcionamento digital, funcionamento estático e dinâmico, potência dissipada. Funcionamento Físico do Transistor Bipolar. Modelos de grandes sinais. Circuitos de polarização CC do Transistor Bipolar. Modelo de pequenos sinais. Amplificador emissor comum. Amplificadores Operacionais: Funcionamento ideal, funcionamento real. Amplificadores de instrumentação.
 
Diodes: Ideal diodes, real diodes, electric characteristics (forward and reverse). Diodes types.
Diodes circuits. Physical behavior of a MOSFET transistor. Large signal model. MOSFET DC bias circuits. Small signal model; Common source amplifier. CMOS Inverter: digital operation, static and dynamic operation, power dissipation. Physical behavior of a Bipolar Transistor. Large signal model. Bipolar Transistor DC bias circuits. Small signal model; Common emitter amplifier. Operational amplifier: Ideal behavior, real behavior. Instrumentation amplifiers.
 
 
Programa
• Diodos: diodo ideal, diodo real, características elétricas (direta e reversa). Tipos de Diodos.
• Circuitos a diodos: retificadores de meia onda, onda completa, filtro capacitivo, circuitos limitadores, grampeadores, dobradores de tensão, regulador de tensão etc.
• Funcionamento Físico do Transistor MOSFET; Dedução da equação de corrente. Regiões de funcionamento. Modelos de grandes sinais.
• Circuitos de polarização CC de MOSFET.
• Modelo de pequenos sinais; Amplificador fonte comum.
• Inversor CMOS: funcionamento digital, funcionamento estático e dinâmico, potência dissipada.
• Funcionamento Físico de Transistor Bipolar: Efeito transistor; Regiões de funcionamento. Modelos de grandes sinais. Equações de corrente.
• Circuitos de polarização CC do Transistor Bipolar.
• Modelo de pequenos sinais; Amplificador emissor comum.
• Amplificador Operacional: O amplificador operacional ideal, configuração inversora, integrador, configurações não-inversora, seguidora, de diferenças e de instrumentação.
• Amplificador Operacional: resposta em frequência, estrutura interna, saturação, slew-rate, CMRR, resistências de entrada e saída, offset.
 
• Diodes: Ideal diodes, real diodes, electric characteristics (forward and reverse). Diodes types.
• Diodes circuits: half-wave rectifier, full-wave rectifier, capacitive filter, limiting circuits, voltage regulators.
• Physical behavior of a MOSFET transistor. Drain current equation. Device working regions. Large signal model.
• MOSFET DC bias circuits.
• Small signal model; Common source amplifier.
• CMOS Inverter: digital operation, static and dynamic operation, power dissipation.
• Physical behavior of a Bipolar Transistor. Transistor effect. Device working regions. Large signal model. Current equations.
• Bipolar Transistor DC bias circuits.
• Small signal model; Common emitter amplifier.
• Operation amplifier: Ideal behavior, inverting configuration amplifier, non-inverting configuration amplifier, integrating configuration, unity-gain follower, difference amplifier, instrumentation amplifier.
• Real operation amplifier: frequency response, saturation region, slew-rate, CMRR, input and output resistance.
 
 
Avaliação
     
Método
Exercícios de aplicação, testes e provas escritas.
Critério
Média de testes e provas escritas.
Norma de Recuperação
Uma prova escrita.
 
Bibliografia
     
[1] Sedra, A.S. and Smith, K.C. Microelectronic Circuits, Oxford University Press, New York-Oxford, 5a. edição, 2004 (ISBN 0-19-514251-9).
 

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