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Júpiter - Sistema de Gestão Acadêmica da Pró-Reitoria de Graduação


Escola de Engenharia de São Carlos
 
Engenharia Elétrica e de Computação
 
Disciplina: SEL0306 - Laboratório de Dispositivos Semicondutores
Laboratory of Electronic Devices

Créditos Aula: 2
Créditos Trabalho: 0
Carga Horária Total: 30 h
Tipo: Semestral
Ativação: 01/01/2016 Desativação:

Objetivos
Reforçar o uso de equipamentos de medição em dispositivos semicondutores e dar suporte experimental à disciplina de Semicondutores. Familiarizar o aluno com as características das junções semicondutoras tipo PN e metal semicondutor, através de medidas em alguns tipos de semicondutores, como os diversos tipos de diodos e de transístores.
 
Experimental and theoretical analysis of electronic devices.
 
 
Programa Resumido
Medidas de tensão e corrente em junção tipo PN, semicondutor-metal, PIN. 
Observação do funcionamento dos dispositivos através das características estáticas e dinâmicas dos componentes, como: diodos de sinal, diodos retificadores de potência, diodo Schottky, diodo emissor de luz, foto-diodo, transístor de junção bipolar e transístores de efeito de campo de porta isolada e de junção, dentre outros.
 
Theoretical and experimental analysis of vacuum tubes, semiconductor diodes, bipolar transistors, field effect transistors, thyristors, integrated circuits, photoelectric devices, sensors and other devices.
 
 
Programa
1. Levantamento da curva tensão x corrente de diodos de sinal, diodos retificadores de potência, diodos Schottky, diodos emissores de luz e diodos zener. 
2. Circuitos simples com diodo de sinal e caraterísticas dinâmicas.
3. Medidas das características dinâmicas dos diodos utilizando osciloscópio.
4. Características estáticas do transístor de junção bipolar.
5. Utilização do transistor de junção bipolar como chave.
6. Características estáticas do transístor de efeito de campo metal-óxido semicondutor.
7. Utilização do MOSFET como chave.
8. Características estáticas do transístor de efeito de campo de junção.
9. Utilização do JFET como fonte de corrente ajustável.
 
Theoretical and experimental analysis of electronic devices by determining some of their most important properties and parameters which are considered in electronic circuit design. The main devices to be studied are vacuum tubes, rectifying diodes, signal processing diodes, zener and avalanche reference diodes, light emiting and light detecting diodes, bipolar transistors, field effect transistors, thyristors, integrated circuits, photoelectric devices, sensors, and other devices.
 
 
Avaliação
     
Método
Práticas guiadas e práticas orientadas por problemas ou por estudos de caso.
Critério
Média aritmética das notas de relatórios e provas práticas.
Norma de Recuperação
Não será oferecida atividade de recuperação.
 
Bibliografia
     
MILLMANN, J., HALKIAS, C.C. Integrated electronics: analog and digital circuits and systems. Tokyo, McGwa-Hill, 1972. 
SZE, S.M. Semiconductor devices: physics and technology. New York, John Wiley, 1985. *** Manuais e catálogos de fabricantes. *** Notas de aulas e roteiros de experiências.
 

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