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Júpiter - Sistema de Gestão Acadêmica da Pró-Reitoria de Graduação

Escola de Engenharia de São Carlos

Engenharia Elétrica e de Computação

Disciplina: SEL0314 - Circuitos Eletrônicos II

Electronic Circuits II

Créditos Aula:	4
Créditos Trabalho:	0
Carga Horária Total:	60 h
Tipo:	Semestral
Ativação:	15/07/2019	Desativação:

Objetivos

Modelagem e aplicação em circuitos eletrônicos de transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor – BJT) e transistores MOS (Metal Oxide Semiconductor) FET (Field Effect Transistor).

To give the student a firm grounding in the analysis and design of JFET and MOS analog circuits. An emphasis is placed on design content, and the students use SPICE as a simulation tool.

Docente(s) Responsável(eis)

	3482251 - Emiliano Rezende Martins
	1112772 - Joao Navarro Soares Junior
	8748072 - João Paulo Pereira do Carmo
	51800 - Jose Marcos Alves
	959351 - José Roberto Boffino de Almeida Monteiro
	89347 - Manoel Luis de Aguiar
	1228681 - Maximiliam Luppe
	6020960 - Ricardo Quadros Machado

Programa Resumido

Transistores MOS: modelos, efeitos de segunda ordem, modelos de pequenos sinais, configurações básicas amplificadoras, o transistor como chave, portas lógicas; Pares diferenciais; Cargas ativas; Transistores cascode; Resposta em frequência de circuitos.

Unipolar Devices, JFET, MESFET, MOSFET.

Programa

Transistores MOSFET – Estrutura Física e Operação de um Transistor MOS: regiões de funcionamento (corte, triodo e saturação); Modelos de grandes sinais: equações de corrente; Modelos de pequenos sinais; Espelhos de corrente; Amplificadores básicos com MOSFET: Fonte Comum, Porta Comum, Dreno Comum; O transistor como porta de passagem; Inversor MOS: funcionamento estático e dinâmico, velocidade e potência; Implementação de blocos lógicos (portas, latches eflip –flop); Polarização com fontes de corrente; Espelhos de corrente de Wilson; Pares diferencias: ganho diferencial e de modo comum; CMRR (Comum Mode Rejection Rate); Cargas ativas e aplicação de transistores cascode; Amplificadores com múltiplos estágios; Resposta em frequência de circuitos - análise no domínio da Frequência, Diagramas de Bode; Resposta em baixas e altas frequências de amplificadores básicos e pares diferencias.

JFET: Device Equations, Transfer Characteristics, Hybrid-Pi Model, T Model, SPICE Model, Bias Equations, Basic Single-Stage Amplifiers Analysis, Common-Source Amp., Common-Drain Amp., Common-Gate Amp., JFET Multi-Stage Amplifiers, Cascode Amplifier, Differential Amplifier, Current Source Circuits, Small-Signal High-Frequency Models, Basic Amplifiers Frequency Analysis, MESFET Principles. MOSFET, Device Symbols, Depletion-Type and Enhancement-Type MOSFET, Device Equations, Transfer Characteristics, Hybrid-Pi Model, T Model: SPICE Model, Bias Equations, Basic Single-Stage Amplifiers Analysis, Common-Source Amp., Common-Drain Amp., Common-Gate Amp., MOSFET Multi-Stage Amplifiers, Cascode Amplifier, Differential Amplifier, Current Source and Current Mirror Circuits, Supply and Temperature Independent CMOS Biasing and References, Elementary CMOS Operational Amplifier Analysis, Folded-Cascode Amplifier, Small-Signal High-Frequency Models, Basic Amplifiers Frequency Analysis, CMOS Inverter and Logic-Gate Circuits.

Avaliação

Método

Aulas expositivas teóricas, aulas de exercícios e a utilização de recursos computacionais. A avaliação é realizada através provas, e/ou testes, e/ou listas de exercícios.

Critério

Média ponderada entre as notas de provas, testes e listas. Nota mínima para aprovação é 5,0 (cinco).

Norma de Recuperação

Os critérios de avaliação da recuperação devem ser similares aos aplicados durante o semestre regular do oferecimento da disciplina; 1) A nota final (MF) do aluno que realizou provas de recuperação dependerá da média do semestre (MS) e da média das provas de recuperação (MR), como segue: a) MF=5 se 5 ≤MR ≤ (10 - MS); b) MF = (MS + MR) / 2 se MR > (10 – MS) c) MF = MS se MR < 5. 2) O período de recuperação das disciplinas deve se estender do início até um mês antes do final do semestre subsequente ao da reprovação do aluno em primeira avaliação.

Bibliografia

1. Sedra, A.S. & Smith, K.C. Microeletrônica, Pearson Prentice Hall, São Paulo, 5a. edição, 2007.
2. Boylestad, Robert L. & Nashelsky, Louis Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, Pearson Education do Brasil, São Paulo, 11 edição, 2013.
3. Razavi, Behzad, Fundamentos de microeletrônica, LTC, Rio de Janeiro, 2010.
4. Muller, Richard S., Kamins, Theodore I. & Chan, Mansun, Device electronics for integrated circuits, John Wiley & Sons, New York, NY, 3rd ed., 2003.
5. Tsividis, Yannis, Operation and Modeling of the MOS transistor. McGraw-Hill, New
York, 1987.

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