Jupiterweb

Informações da Disciplina

Preparar para impressão

Júpiter - Sistema de Gestão Acadêmica da Pró-Reitoria de Graduação

Escola de Engenharia de São Carlos

Engenharia Elétrica e de Computação

Disciplina: SEL0613 - Circuitos Eletrônicos II

Electronic Circuits II

Créditos Aula:	4
Créditos Trabalho:	0
Carga Horária Total:	60 h
Tipo:	Semestral
Ativação:	15/07/2019	Desativação:

Objetivos

Modelagem e aplicação em circuitos eletrônicos de transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor - BJT) e transistores MOS (Metal Oxide Semiconductor) FET (Field Effect Transistor).

Modeling and application in electronic circuits of bipolar transistors (Bipolar Junction Transistor - BJT) and MOS (Metal Oxide Semiconductor) FET (Field Effect Transistor) transistors.

Docente(s) Responsável(eis)

1112772 - Joao Navarro Soares Junior

Programa Resumido

Transistores MOS: modelos, efeitos de segunda ordem, modelos de pequenos sinais,  configurações básicas amplificadoras, o transistor como chave, portas lógicas; Pares diferenciais; Cargas ativas; Transistores cascode; Resposta em frequência de circuitos.

MOS transistors: models, second order effects, small signal models, basic amplifier configurations, transistor as switch, logic gates; Differential pairs; Active loads; Cascode transistors; Frequency response of circuits.

Programa

Transistores MOSFET - Estrutura Física e Operação de um Transistor MOS: regiões de funcionamento (corte, triodo e saturação); Modelos de grandes sinais: equações de corrente; Modelos de pequenos sinais; Espelhos de corrente; Amplificadores básicos com MOSFET: Fonte Comum, Porta Comum, Dreno Comum; O transistor como porta de passagem; Inversor MOS: funcionamento estático e dinâmico, velocidade e potência; Implementação de blocos lógicos (portas, latches e flip - flop);
Polarização com fontes de corrente; Espelhos de corrente de Wilson; Pares diferencias: ganho diferencial e de modo comum; CMRR (Comum Mode Rejection Rate); Cargas ativas e aplicação de transistores cascode; Amplificadores com múltiplos estágios;
Resposta em frequência de circuitos - análise no domínio da Frequência, Diagramas de Bode; Resposta em baixas e altas frequências de amplificadores básicos e pares diferenciais.

MOSFET Transistors - Physical Structure and Operation of a MOS transistor: operating regions (cut-off, triode, and saturation); Large signal models: current equations; Small signal models; Current mirrors; Basic MOSFET Amplifiers: Common Source, Common Gate, Common Drain; The transistor as pass transistor; MOS inverter: static and dynamic operation, speed and power consumption; Implementation of logic blocks (logic gates, latches, and flip-flop); Polarization with current sources; Wilson current mirrors; Differential Pair: differential and common mode gain; CMRR (Common Mode Rejection Rate); Active loads and application of cascode transistors; Amplifiers with multiple stages; Frequency response of circuits - analysis at frequency domain, Bode Diagrams; Response at low and high frequencies of basic amplifiers and differential pairs

Avaliação

Método

Aulas expositivas teóricas, aulas de exercícios e a utilização de recursos computacionais. A avaliação é realizada através provas, e/ou testes, e/ou listas de exercícios.

Critério

Média ponderada entre as notas de provas, testes e listas. Nota mínima para aprovação é 5,0 (cinco).

Norma de Recuperação

Os critérios de avaliação da recuperação devem ser similares aos aplicados durante o semestre regular do oferecimento da disciplina; 1) A nota final (MF) do aluno que realizou provas de recuperação dependerá da média do semestre (MS) e da média das provas de recuperação (MR), como segue: a) MF=5 se 5 ≤MR ≤ (10 - MS); b) MF = (MS + MR) / 2 se MR > (10 – MS) c) MF = MS se MR < 5. 2) O período de recuperação das disciplinas deve se estender do início até um mês antes do final do semestre subsequente ao da reprovação do aluno em primeira avaliação.

Bibliografia

1. SEDRA, A.S. & SMITH, K.C. Microeletrônica, Pearson Prentice Hall, São Paulo, 5a. edição, 2007.
2. BOYLESTAD, ROBERT L. & NASHELSKY, LOUIS,  Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, Pearson Education do Brasil, São Paulo, 11 edição, 2013.
3. RAZAVI, BEHZAD, Fundamentos de microeletrônica, LTC, Rio de Janeiro, 2010.
4. MULLER, RICHARD S., KAMINS, THEODORE I. & CHAN, MANSUN, Device electronics for integrated circuits, John Wiley & Sons, New York, NY, 3rd ed., 2003.
5. TSIVIDIS, YANNIS, Operation and Modeling of the MOS transistor. McGraw-Hill, New York, 1987.

Clique para consultar os requisitos para SEL0613

Clique para consultar o oferecimento para SEL0613